图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1800 |
|
最小起订量:1800 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||
#2 |
数量:9000 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||
#3 |
数量:400 |
|
最小起订量:50 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 MJD31,32 (C) |
| 文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,800 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 10 @ 3A, 4V |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 25@1A@4V|10@3A@4V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.2@375mA@3A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1560 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10 @ 3A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1800 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 25 at 1 A at 4 V |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 集电极电流（DC ） | 3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 3 MHz |
| 功率耗散 | 1.56 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 25 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 长度 | 6.73mm |
| Board Level Components | Y |
| 最大直流集电极电流 | 3 A |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 高度 | 2.38mm |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 宽度 | 6.22mm |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 10 |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.2 V 直流 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大工作频率 | 1 kHz |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V 直流 |
| 系列 | MJD32C |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 15 W |
| 身高 | 2.38 mm |
| 长度 | 6.73 mm |
MJD32CRLG也可以通过以下分类找到
MJD32CRLG相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家